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R424系列 DFN2x2小封裝 集合鋰保芯片與MOS為一體鋰電保護(hù)IC 極小體積大電流及 4.4V過(guò)充保護(hù)針對(duì)4.35V高壓鋰電保電路應(yīng)用
R424B DFN2x2-6 小封裝 復(fù)合鋰電保護(hù) 4.42V過(guò)充保護(hù) 4A過(guò)流 高壓電芯適用

RB424內(nèi)置mos和保護(hù) 鋰電池二合一保護(hù)芯片

概述:

 RB424B是一款內(nèi)置 MOSFET 的單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片。該芯片具有非常低的功耗和非常低

阻抗的內(nèi)置 MOSFET。該芯片有充電過(guò)壓,充電過(guò)流,放電過(guò)壓,放電過(guò)流,過(guò)熱,短

路等各項(xiàng)保護(hù)等功能,確保電芯安全,高效的工作。RB424B采用 DFN2X2-6封裝,外圍只需要一

個(gè)電阻和一個(gè)電容,應(yīng)用極其簡(jiǎn)潔,工作安全可靠。

特性:

內(nèi)置 36 m? MOSFET

超小超薄 DFN2X2-6封裝

內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)

二重過(guò)放電流檢測(cè)保護(hù)

超小靜態(tài)電流和休眠電流

A 靜態(tài)工作電流為 1.7 uA

B 休眠電流為 0.3 uA

6 符合歐洲 "ROHS" 標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛產(chǎn)品

 

應(yīng)用:

單節(jié)鋰離子可充電電池組

單節(jié)鋰聚合物可充電電池組